onsemi FCP190N65F

onsemi FCP190N65F

650V 190mΩ@10V 1 N-channel 208W TO-220 Single FETs, MOSFETs RoHS

در 0 فروشگاه

قیمت هنوز مشخص نشده است

این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!

مشخصات فنی:
Manufacturer ---
Package ---
Datasheet FCP190N65F
Description ---

sellers onsemi FCP190N65F

فروشگاهی یافت نشد

انجمن تخصصی برق و الکترونیک سیسوگ
مقالات مرتبط در سیسوگ
  • استفاده از SiC در مراکز داده‌ مبتنی بر هوش مصنوعی
    استفاده از SiC در مراکز داده‌ مبتنی بر هوش مصنوعی
  • معرفی برد DongshanPI-PicoW
    معرفی برد DongshanPI-PicoW
انجمن تخصصی برق و الکترونیک سیسوگ

مشخصات

  • Number 1 N-channel
  • RDS(on) 190mΩ
  • Gate Charge(Qg) 78nC
  • Ciss-Input Capacitance 3.225nF
  • Pd - Power Dissipation 208W
  • Drain to Source Voltage 650V
  • Operating Temperature - -55℃~+150℃
  • Current - Continuous Drain(Id) 20.6A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) 5V
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) 155pF
  • Package TO-220

فروشنده ها

فروشگاهی یافت نشد

محصولات مشابه