FQB9P25TM

FQB9P25TM

FQB9P25TM

در 0 فروشگاه

قیمت هنوز مشخص نشده است

این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!

مشخصات فنی:
Manufacturer onsemi
Package TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datasheet FQB9P25TM
Description P-Channel 250V 9.4A (Tc) 3.13W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)

sellers FQB9P25TM

فروشگاهی یافت نشد

انجمن تخصصی برق و الکترونیک سیسوگ

تغییرات قیمت

انجمن تخصصی برق و الکترونیک سیسوگ

مشخصات

  • RoHS true
  • Type P Channel
  • Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet onsemi FQB9P25TM
  • Operating Temperature -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd) 3.13W;120W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs) 29nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss) 250V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds) 910pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id) 9.4A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) 27pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 480mΩ@10V,4.7A
  • Package D2PAK
  • Manufacturer onsemi
  • Series QFET®
  • Packaging Cut Tape (CT)
  • Part Status Obsolete
  • FET Type P-Channel
  • Technology MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.4A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs 620mOhm @ 4.7A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V
  • Vgs (Max) ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1180pF @ 25V
  • FET Feature -
  • Power Dissipation (Max) 3.13W (Ta), 120W (Tc)
  • Mounting Type Surface Mount
  • Supplier Device Package D²PAK (TO-263AB)
  • Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Part Number FQB9
  • detail P-Channel 250V 9.4A (Tc) 3.13W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)

فروشنده ها

فروشگاهی یافت نشد

محصولات مشابه