IXTH3N200P3HV
در 0 فروشگاه
قیمت هنوز مشخص نشده است
این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!
| Manufacturer | IXYS |
| Package | TO-247-3 |
| Datasheet | IXT(H,T)3N200P3HV |
| Description | N-Channel 2000V 3A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247 |
sellers IXTH3N200P3HV
فروشگاهی یافت نشد
تغییرات قیمت
مشخصات
- Manufacturer IXYS
- Series -
- Packaging Tube
- Part Status Active
- FET Type N-Channel
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss) 2000V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 8Ohm @ 1.5A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 10V
- Vgs (Max) ±20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1860pF @ 25V
- FET Feature -
- Power Dissipation (Max) 520W (Tc)
- Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
- Mounting Type Through Hole
- Supplier Device Package TO-247
- Package / Case TO-247-3
- detail N-Channel 2000V 3A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247
فروشنده ها
فروشگاهی یافت نشد