STU6N60DM2

STU6N60DM2

STU6N60DM2

در 0 فروشگاه

قیمت هنوز مشخص نشده است

این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!

مشخصات فنی:
Manufacturer STMicroelectronics
Package TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datasheet STU6N60DM2
Description N-Channel 600V 5A (Tc) 60W (Tc) Through Hole I-PAK

sellers STU6N60DM2

فروشگاهی یافت نشد

انجمن تخصصی برق و الکترونیک سیسوگ

تغییرات قیمت

انجمن تخصصی برق و الکترونیک سیسوگ

مشخصات

  • RoHS true
  • Type N Channel
  • Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet STMicroelectronics STU6N60DM2
  • Operating Temperature -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd) 60W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs) 6.2nC@0~10V
  • Drain Source Voltage (Vdss) 600V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds) 274pF@100V
  • Continuous Drain Current (Id) 5A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 4V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) 2pF@100V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 950mΩ@10V,2.5A
  • Package TO-251-3(IPAK)
  • Manufacturer STMicroelectronics
  • Series MDmesh™ DM2
  • Packaging Tube
  • Part Status Active
  • FET Type N-Channel
  • Technology MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1Ohm @ 2.5A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id 4.75V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.2nC @ 10V
  • Vgs (Max) ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 274pF @ 100V
  • FET Feature -
  • Power Dissipation (Max) 60W (Tc)
  • Mounting Type Through Hole
  • Supplier Device Package I-PAK
  • Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • detail N-Channel 600V 5A (Tc) 60W (Tc) Through Hole I-PAK

فروشنده ها

فروشگاهی یافت نشد

محصولات مشابه