فروشنده های IPBE65R115CFD7A
فروشگاهی یافت نشد
تغییرات قیمت
مشخصات IPBE65R115CFD7A
- RoHS true
- Type N Channel
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet Infineon Technologies IPBE65R115CFD7A
- Operating Temperature -40°C~+150°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd) 114W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs) 41nC@10V
- Drain Source Voltage (Vdss) 650V
- Input Capacitance (Ciss@Vds) 1.95nF@400V
- Continuous Drain Current (Id) 21A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 4V@490uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) -
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 103mΩ@10V,9.7A
- Package TO-263-7
- Manufacturer Infineon Technologies
فروشنده های IPBE65R115CFD7A
فروشگاهی یافت نشد