IPB083N10N3G
در 0 فروشگاه
قیمت هنوز مشخص نشده است
این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Package | --- |
| Datasheet | IPB083N10N3G |
| Description | --- |
sellers IPB083N10N3G
فروشگاهی یافت نشد
تغییرات قیمت
مشخصات
- RoHS true
- Type N Channel
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet Infineon Technologies IPB083N10N3G
- Power Dissipation (Pd) 125W
- Drain Source Voltage (Vdss) 100V
- Continuous Drain Current (Id) 80A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 3.5V@75uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 8.3mΩ@10V,73A
- Package TO-263
- Manufacturer Infineon Technologies
فروشنده ها
فروشگاهی یافت نشد