HE8550G-D-AE3-R
در 0 فروشگاه قیمت هنوز مشخص نشده است
این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!
| Manufacturer | UTC(Unisonic Tech) |
| Package | --- |
| Datasheet | HE8550G-D-AE3-R |
| Description | --- |
فروشنده های HE8550G-D-AE3-R
فروشگاهی یافت نشد
مشخصات HE8550G-D-AE3-R
- RoHS true
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
- Datasheet UTC(Unisonic Tech) HE8550G-D-AE3-R
- Transistor Type PNP
- Operating Temperature +150°C@(Tj)
- Collector Current (Ic) 1.5A
- Power Dissipation (Pd) 350mW
- Transition Frequency (fT) 190MHz
- DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 160@100mA,1V
- Collector Cut-Off Current (Icbo) 100nA
- Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 25V
- Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 280mV@800mA,80mA
- Package SOT-23
- Manufacturer UTC(Unisonic Tech)
فروشنده های HE8550G-D-AE3-R
فروشگاهی یافت نشد