SI2319DS-T1-GE3
در 0 فروشگاه قیمت هنوز مشخص نشده است
این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!
| Manufacturer | Vishay Intertech |
| Package | --- |
| Datasheet | SI2319DS-T1-GE3 |
| Description | --- |
فروشنده های SI2319DS-T1-GE3
فروشگاهی یافت نشد
مشخصات SI2319DS-T1-GE3
- RoHS true
- Type P Channel
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet Vishay Intertech SI2319DS-T1-GE3
- Operating Temperature -55°C~+150°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd) 750mW
- Total Gate Charge (Qg@Vgs) 17nC@10V
- Drain Source Voltage (Vdss) 40V
- Input Capacitance (Ciss@Vds) 470pF@20V
- Continuous Drain Current (Id) 2.3A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 3V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) -
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 82mΩ@3A,10V
- Package SOT-23-3
- Manufacturer Vishay Intertech
فروشنده های SI2319DS-T1-GE3
فروشگاهی یافت نشد