MJD122-1G
در 0 فروشگاه قیمت هنوز مشخص نشده است
این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!
| Manufacturer | onsemi |
| Package | --- |
| Datasheet | MJD122-1G |
| Description | --- |
فروشنده های MJD122-1G
فروشگاهی یافت نشد
مشخصات MJD122-1G
- RoHS true
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/Darlington Transistors
- Datasheet onsemi MJD122-1G
- Transistor Type NPN
- Operating Temperature -65°C~+150°C@(Tj)
- Collector Current (Ic) 8A
- Power Dissipation (Pd) 1.75W
- Transition frequency (fT) 4MHz
- DC current gain (hFE@Vce,Ic) 1000@4V,4A
- Collector-emitter voltage (Vceo) 100V
- Collector cut-off current (Icbo@Vcb) 10uA
- Collector-emitter saturation voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 4V@8A,80mA
- Package TO-252
- Manufacturer onsemi
فروشنده های MJD122-1G
فروشگاهی یافت نشد