MJD122-1G

MJD122-1G

100V 1000@4V,4A NPN 8A 1.75W TO-252 Darlington Transistors ROHS

در 0 فروشگاه قیمت هنوز مشخص نشده است

این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!

مشخصات فنی:
Manufacturer onsemi
Package ---
Datasheet MJD122-1G
Description ---

مشخصات MJD122-1G

  • RoHS true
  • Category Triode/MOS Tube/Transistor/Darlington Transistors
  • Datasheet onsemi MJD122-1G
  • Transistor Type NPN
  • Operating Temperature -65°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic) 8A
  • Power Dissipation (Pd) 1.75W
  • Transition frequency (fT) 4MHz
  • DC current gain (hFE@Vce,Ic) 1000@4V,4A
  • Collector-emitter voltage (Vceo) 100V
  • Collector cut-off current (Icbo@Vcb) 10uA
  • Collector-emitter saturation voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 4V@8A,80mA
  • Package TO-252
  • Manufacturer onsemi

فروشنده های MJD122-1G

فروشگاهی یافت نشد