IPB054N06N3 G
در 0 فروشگاه
قیمت هنوز مشخص نشده است
این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Package | --- |
| Datasheet | IPB054N06N3 G |
| Description | --- |
sellers IPB054N06N3 G
فروشگاهی یافت نشد
مشخصات
- RoHS true
- Type N Channel
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet Infineon Technologies IPB054N06N3 G
- Power Dissipation (Pd) 115W
- Drain Source Voltage (Vdss) 60V
- Continuous Drain Current (Id) 80A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 4V@58uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 5.7mΩ@10V,80A
- Package TO-263
- Manufacturer Infineon Technologies
فروشنده ها
فروشگاهی یافت نشد
