MMBT5551_R1_00001

MMBT5551_R1_00001

در 0 فروشگاه

قیمت هنوز مشخص نشده است

این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!

مشخصات فنی:
Manufacturer PANJIT International
Package ---
Datasheet MMBT5551_R1_00001
Description ---

sellers MMBT5551_R1_00001

فروشگاهی یافت نشد

تغییرات قیمت

مشخصات

  • RoHS true
  • Category Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet PANJIT International MMBT5551_R1_00001
  • Transistor Type NPN
  • Operating Temperature -55°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic) 600mA
  • Power Dissipation (Pd) 250mW
  • Transition Frequency (fT) 100MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 80@10mA,5V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo) 50nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 160V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 200mV@50mA,5mA
  • Package SOT-23
  • Manufacturer PANJIT International

فروشنده ها

فروشگاهی یافت نشد