فروشنده های BSZ058N03LS G
فروشگاهی یافت نشد
مشخصات BSZ058N03LS G
- RoHS true
- Type N Channel
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet Infineon Technologies BSZ058N03LS G
- Operating Temperature -55°C~+150°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd) 45W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs) 11nC@0~4.5V
- Drain Source Voltage (Vdss) 30V
- Input Capacitance (Ciss@Vds) 1.8nF@15V
- Continuous Drain Current (Id) 71A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 2.2V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) 36pF@15V
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 4.8mΩ@10V,20A
- Package DFN-8(3.3x3.3)
- Manufacturer Infineon Technologies
فروشنده های BSZ058N03LS G
فروشگاهی یافت نشد