MEE15N10-G

MEE15N10-G

100V 15.4A 80mΩ@10V,8A 37.9W N Channel TO-252 MOSFETs ROHS

در 0 فروشگاه

قیمت هنوز مشخص نشده است

این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!

مشخصات فنی:
Manufacturer MATSUKI
Package ---
Datasheet MEE15N10-G
Description ---

sellers MEE15N10-G

فروشگاهی یافت نشد

پالت
مقالات مرتبط در سیسوگ
  • معرفی و مقایسه کنسانتراتورها و ترانسیورهای LoRaWAN در نسل‌های مختلف
    معرفی و مقایسه کنسانتراتورها و ترانسیورهای LoRaWAN در نسل‌های مختلف
  • راه‌اندازی LEDهای توان‌بالا + تنظیم رنگ یک LED
    راه‌اندازی LEDهای توان‌بالا + تنظیم رنگ یک LED
  • Goto در آردوینو
    Goto در آردوینو
  • تشخیص افراد با استفاده از سیگنال wifi
    تشخیص افراد با استفاده از سیگنال wifi
  • NB-IOT + GPRS-2G نوشداروی صنعت IOT ایران
    NB-IOT + GPRS-2G نوشداروی صنعت IOT ایران
  • چگونه دستگاه cnc بسازیم؟
    چگونه دستگاه cnc بسازیم؟
  • چالش تولید رنگ زرد با LED های سبز و قرمز - آموزش رزبری پای با پایتون – قسمت چهارم –
    چالش تولید رنگ زرد با LED های سبز و قرمز - آموزش رزبری پای با پایتون – قسمت چهارم –
  • دانلود وبینار شرکت کویکتل Quectel با موضوع NB-IOT
    دانلود وبینار شرکت کویکتل Quectel با موضوع NB-IOT
  • ساخت آیفون تصویری – قسمت دوم
    ساخت آیفون تصویری – قسمت دوم
  • معرفی قطعه جدید شرکت Espressif: میکروکنترلر ESP32-C5
    معرفی قطعه جدید شرکت Espressif: میکروکنترلر ESP32-C5
پالت

مشخصات

  • RoHS true
  • Type N Channel
  • Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet MATSUKI MEE15N10-G
  • Operating Temperature -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd) 37.9W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs) 15.5nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss) 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds) 314pF@15V
  • Continuous Drain Current (Id) 15.4A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 3V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) 15pF@15V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 80mΩ@10V,8A
  • Package TO-252
  • Manufacturer MATSUKI

فروشنده ها

فروشگاهی یافت نشد

محصولات مشابه