SI8409DB-T1-E1
در 0 فروشگاه قیمت هنوز مشخص نشده است
این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!
| Manufacturer | Vishay Intertech |
| Package | --- |
| Datasheet | SI8409DB-T1-E1 |
| Description | --- |
فروشنده های SI8409DB-T1-E1
فروشگاهی یافت نشد
مشخصات SI8409DB-T1-E1
- RoHS true
- Type P Channel
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet Vishay Intertech SI8409DB-T1-E1
- Operating Temperature -55°C~+150°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd) 1.47W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs) 26nC@4.5V
- Drain Source Voltage (Vdss) 30V
- Input Capacitance (Ciss@Vds) -
- Continuous Drain Current (Id) 4.6A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 1.4V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) -
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 46mΩ@1A,4.5V
- Package MicroFoot-4
- Manufacturer Vishay Intertech
فروشنده های SI8409DB-T1-E1
فروشگاهی یافت نشد