ZXTP2012ZQTA
در 1 فروشگاه
قیمت هنوز مشخص نشده است
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Package | --- |
| Datasheet | ZXTP2012ZQTA |
| Description | --- |
sellers ZXTP2012ZQTA
| قیمت | ||||
|
|
ZXTP2012Z | ناموجود بدون قیمت قیمت محصولات این فروشگاه بروز نشده است! |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه: |
تغییرات قیمت
مشخصات
- RoHS true
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
- Datasheet Diodes Incorporated ZXTP2012ZQTA
- Transistor Type PNP
- Operating Temperature -55°C~+150°C@(Tj)
- Collector Current (Ic) 4.3A
- Power Dissipation (Pd) 1.5W
- Transition Frequency (fT) 120MHz
- DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 100@2A,1V
- Collector Cut-Off Current (Icbo) 20nA
- Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 60V
- Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 160mV@5A,500mA
- Package SOT-89
- Manufacturer Diodes Incorporated
فروشنده ها
| قیمت | ||||
|
|
ZXTP2012Z | ناموجود بدون قیمت قیمت محصولات این فروشگاه بروز نشده است! |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه: |