IPB180N08S4-02
در 0 فروشگاه قیمت هنوز مشخص نشده است
این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!
Manufacturer | Infineon Technologies |
Package | --- |
Datasheet | IPB180N08S4-02 |
Description | --- |
فروشنده های IPB180N08S4-02
فروشگاهی یافت نشد
مشخصات IPB180N08S4-02
- RoHS true
- Type N Channel
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet Infineon Technologies IPB180N08S4-02
- Power Dissipation (Pd) 277W
- Drain Source Voltage (Vdss) 80V
- Continuous Drain Current (Id) 180A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 4V@220uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 2.2mΩ@10V,100A
- Package TO-263-7
- Manufacturer Infineon Technologies
فروشنده های IPB180N08S4-02
فروشگاهی یافت نشد