2N5551U

2N5551U

در 0 فروشگاه

قیمت هنوز مشخص نشده است

این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!

مشخصات فنی:
Manufacturer CBI
Package ---
Datasheet 2N5551U
Description ---

sellers 2N5551U

فروشگاهی یافت نشد

تغییرات قیمت

مشخصات

  • RoHS true
  • Category Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet CBI 2N5551U
  • Transistor Type -
  • Operating Temperature +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic) 600mA
  • Power Dissipation (Pd) 500mW
  • Transition Frequency (fT) 100MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 80@10mA,5V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo) 50nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 160V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 200mV@50mA,5mA
  • Package SOT-89
  • Manufacturer CBI

فروشنده ها

فروشگاهی یافت نشد