SI2300DS-T1-GE3-VB
در 0 فروشگاه قیمت هنوز مشخص نشده است
این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!
| Manufacturer | VBsemi Elec |
| Package | --- |
| Datasheet | SI2300DS-T1-GE3-VB |
| Description | --- |
فروشنده های SI2300DS-T1-GE3-VB
فروشگاهی یافت نشد
مشخصات SI2300DS-T1-GE3-VB
- RoHS true
- Type N Channel
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet VBsemi Elec SI2300DS-T1-GE3-VB
- Operating Temperature -55°C~+150°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd) 2.1W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs) 8.8nC@4.5V
- Drain Source Voltage (Vdss) 20V
- Input Capacitance (Ciss@Vds) 865pF@10V
- Continuous Drain Current (Id) 6A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 1V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) 55pF@10V
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 28mΩ@4.5V,5A
- Package SOT-23(TO-236)
- Manufacturer VBsemi Elec
فروشنده های SI2300DS-T1-GE3-VB
فروشگاهی یافت نشد
