فروشنده های HGTG30N60A4
فروشگاهی یافت نشد
تغییرات قیمت
مشخصات HGTG30N60A4
- RoHS true
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/IGBTs
- Operating Temperature 55°C~+150°C@(Tj)
- Collector Current (Ic) 75A
- Power Dissipation (Pd) 463W
- Turn?on Delay Time (Td(on)) 25ns
- Total Gate Charge (Qg@Ic,Vge) 225nC
- Turn?off Delay Time (Td(off)) 150ns
- Pulsed Collector Current (Icm) 240A
- Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) 600V
- Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) 2.6V@15V,30A
- Package TO-247
- Manufacturer onsemi
فروشنده های HGTG30N60A4
فروشگاهی یافت نشد
