SI2356DS-T1-GE3
در 0 فروشگاه
قیمت هنوز مشخص نشده است
این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!
| Manufacturer | Vishay Intertech |
| Package | --- |
| Datasheet | SI2356DS-T1-GE3 |
| Description | --- |
sellers SI2356DS-T1-GE3
فروشگاهی یافت نشد
مشخصات
- RoHS true
- Type N Channel
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet Vishay Intertech SI2356DS-T1-GE3
- Operating Temperature -55°C~+150°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd) 960mW;1.7W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs) 13nC@10V
- Drain Source Voltage (Vdss) 40V
- Input Capacitance (Ciss@Vds) 370pF@20V
- Continuous Drain Current (Id) 4.3A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 1.5V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 51mΩ@10V,3.2A
- Package SOT-23
- Manufacturer Vishay Intertech
فروشنده ها
فروشگاهی یافت نشد