MMBT5551T G1

MMBT5551T G1

160V 200mW 100@10mA,5V 600mA NPN SOT-523 Bipolar Transistors - BJT ROHS

در 0 فروشگاه

قیمت هنوز مشخص نشده است

این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!

مشخصات فنی:
Manufacturer CBI
Package ---
Description ---

sellers MMBT5551T G1

فروشگاهی یافت نشد

پالت
مقالات مرتبط در سیسوگ
  • کنترل و ابزار دقیق و معرفی سیستم کنترل و کاربرد آن در صنعت
    کنترل و ابزار دقیق و معرفی سیستم کنترل و کاربرد آن در صنعت
پالت

مشخصات

  • RoHS true
  • Category Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet CBI MMBT5551T G1
  • Transistor Type NPN
  • Operating Temperature +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic) 600mA
  • Power Dissipation (Pd) 200mW
  • Transition Frequency (fT) 100MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 100@10mA,5V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo) 50nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 160V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 200mV@50mA,5mA
  • Package SOT-523
  • Manufacturer CBI

فروشنده ها

فروشگاهی یافت نشد

محصولات مشابه