HYG013N04NA1P

HYG013N04NA1P

در 0 فروشگاه

قیمت هنوز مشخص نشده است

این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!

مشخصات فنی:
Manufacturer HUAYI
Package ---
Datasheet HYG013N04NA1P
Description ---

sellers HYG013N04NA1P

فروشگاهی یافت نشد

تغییرات قیمت

مشخصات

  • RoHS true
  • Type N Channel
  • Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet HUAYI HYG013N04NA1P
  • Operating Temperature -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd) 230W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs) 265nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss) 40V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds) 11620pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id) 260A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 2.8V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) 1050pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 1.3mΩ@10V,60A
  • Package TO-220
  • Manufacturer HUAYI

فروشنده ها

فروشگاهی یافت نشد