HYG092N10LS1C2

HYG092N10LS1C2

در 0 فروشگاه

قیمت هنوز مشخص نشده است

این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!

مشخصات فنی:
Manufacturer HUAYI
Package ---
Datasheet HYG092N10LS1C2
Description ---

sellers HYG092N10LS1C2

فروشگاهی یافت نشد

تغییرات قیمت

مشخصات

  • RoHS true
  • Type N Channel
  • Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet HUAYI HYG092N10LS1C2
  • Operating Temperature +175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd) 62.5W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs) 25nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss) 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds) 2.348nF@50V
  • Continuous Drain Current (Id) 60A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 1.6V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) 12.4pF@50V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 7.8mΩ@10V,20A
  • Package DFN-8(5x6)
  • Manufacturer HUAYI

فروشنده ها

فروشگاهی یافت نشد