SI2319CDS-T1-GE3-VB
در 0 فروشگاه قیمت هنوز مشخص نشده است
این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!
| Manufacturer | VBsemi Elec |
| Package | --- |
| Datasheet | SI2319CDS-T1-GE3-VB |
| Description | --- |
فروشنده های SI2319CDS-T1-GE3-VB
فروشگاهی یافت نشد
مشخصات SI2319CDS-T1-GE3-VB
- RoHS true
- Type P Channel
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet VBsemi Elec SI2319CDS-T1-GE3-VB
- Power Dissipation (Pd) 2.5W
- Drain Source Voltage (Vdss) 30V
- Continuous Drain Current (Id) 5.6A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 2V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 55mΩ@10V,4.4A
- Package SOT-23
- Manufacturer VBsemi Elec
فروشنده های SI2319CDS-T1-GE3-VB
فروشگاهی یافت نشد
