SI8851EDB-T2-E1

SI8851EDB-T2-E1

در 0 فروشگاه

قیمت هنوز مشخص نشده است

این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!

مشخصات فنی:
Manufacturer Vishay Intertech
Package ---
Datasheet SI8851EDB-T2-E1
Description ---

sellers SI8851EDB-T2-E1

فروشگاهی یافت نشد

مشخصات

  • RoHS true
  • Type P Channel
  • Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet Vishay Intertech SI8851EDB-T2-E1
  • Operating Temperature -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd) 660mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs) 180nC@8V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds) 6900pF@10V
  • Continuous Drain Current (Id) 7.7A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 1V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 8mΩ@7A,4.5V
  • Package MicroFoot-30
  • Manufacturer Vishay Intertech

فروشنده ها

فروشگاهی یافت نشد