HYG028N10NS1B6
در 0 فروشگاه قیمت هنوز مشخص نشده است
این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!
| Manufacturer | HUAYI |
| Package | --- |
| Datasheet | HYG028N10NS1B6 |
| Description | --- |
فروشنده های HYG028N10NS1B6
فروشگاهی یافت نشد
تغییرات قیمت
مشخصات HYG028N10NS1B6
- RoHS true
- Type N Channel
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet HUAYI HYG028N10NS1B6
- Operating Temperature -55°C~+175°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd) 300W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs) 176nC@10V
- Drain Source Voltage (Vdss) 100V
- Input Capacitance (Ciss@Vds) 10.32nF@25V
- Continuous Drain Current (Id) 230A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 3V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) 242pF@25V
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 2.4mΩ@10V,50A
- Package TO-263-6
- Manufacturer HUAYI
فروشنده های HYG028N10NS1B6
فروشگاهی یافت نشد