ZXTP2009ZQTA
در 0 فروشگاه
قیمت هنوز مشخص نشده است
این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Package | --- |
| Datasheet | ZXTP2009ZQTA |
| Description | --- |
sellers ZXTP2009ZQTA
فروشگاهی یافت نشد
تغییرات قیمت
مشخصات
- RoHS true
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
- Datasheet Diodes Incorporated ZXTP2009ZQTA
- Transistor Type PNP
- Operating Temperature -55°C~+150°C@(Tj)
- Collector Current (Ic) 5.5A
- Power Dissipation (Pd) 900mW
- Transition Frequency (fT) 152MHz
- DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 200@500mA,2V
- Collector Cut-Off Current (Icbo) 20nA
- Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 40V
- Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 162mV@5.5A,550mA
- Package SOT-89
- Manufacturer Diodes Incorporated
فروشنده ها
فروشگاهی یافت نشد