MJE182G
در 0 فروشگاه قیمت هنوز مشخص نشده است
این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!
| Manufacturer | onsemi |
| Package | --- |
| Datasheet | MJE182G |
| Description | --- |
فروشنده های MJE182G
فروشگاهی یافت نشد
تغییرات قیمت
مشخصات MJE182G
- RoHS true
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
- Datasheet onsemi MJE182G
- Transistor Type NPN
- Operating Temperature -65°C~+150°C@(Tj)
- Collector Current (Ic) 3A
- Power Dissipation (Pd) 1.5W
- Transition Frequency (fT) 50MHz
- DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 50@100mA,1V
- Collector Cut-Off Current (Icbo) 100nA
- Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 80V
- Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 1.7V@3A,600mA
- Package TO-225
- Manufacturer onsemi
فروشنده های MJE182G
فروشگاهی یافت نشد