MMBT5551LT3G
در 0 فروشگاه
قیمت هنوز مشخص نشده است
این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!
| Manufacturer | onsemi |
| Package | --- |
| Datasheet | MMBT5551LT3G |
| Description | --- |
sellers MMBT5551LT3G
فروشگاهی یافت نشد
تغییرات قیمت
مشخصات MMBT5551LT3G
- RoHS true
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
- Datasheet onsemi MMBT5551LT3G
- Transistor Type NPN
- Operating Temperature -55°C~+150°C@(Tj)
- Collector Current (Ic) 600mA
- Power Dissipation (Pd) 225mW
- Transition Frequency (fT) -
- DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 80@10mA,5V
- Collector Cut-Off Current (Icbo) 100nA
- Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 160V
- Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 200mV@50mA,5mA
- Package SOT-23(TO-236)
- Manufacturer onsemi
فروشنده ها
فروشگاهی یافت نشد
