IPB200N25N3 G
در 1 فروشگاه
قیمت هنوز مشخص نشده است
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Package | --- |
| Datasheet | IPB200N25N3 G |
| Description | --- |
sellers IPB200N25N3 G
| قیمت | ||||
|
|
IPB200N25N3G | ناموجود بدون قیمت قیمت محصولات این فروشگاه بروز نشده است! |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه: |
مشخصات
- RoHS true
- Type N Channel
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet Infineon Technologies IPB200N25N3 G
- Power Dissipation (Pd) 300W
- Drain Source Voltage (Vdss) 250V
- Continuous Drain Current (Id) 64A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 4V@270uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 20mΩ@10V,64A
- Package TO-263-3
- Manufacturer Infineon Technologies
فروشنده ها
| قیمت | ||||
|
|
IPB200N25N3G | ناموجود بدون قیمت قیمت محصولات این فروشگاه بروز نشده است! |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه: |