فروشنده های IPB042N10N3 G E8187
فروشگاهی یافت نشد
مشخصات IPB042N10N3 G E8187
- RoHS true
- Type N Channel
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet Infineon Technologies IPB042N10N3 G E8187
- Operating Temperature -55°C~+175°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd) 214W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs) 88nC@0~10V
- Drain Source Voltage (Vdss) 100V
- Input Capacitance (Ciss@Vds) 6.32nF@50V
- Continuous Drain Current (Id) 137A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 2.7V@150mA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) 41pF@50V
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 3.6mΩ@10V,100A
- Package TO-263-3
- Manufacturer Infineon Technologies
فروشنده های IPB042N10N3 G E8187
فروشگاهی یافت نشد