فروشنده های IPD80R1K2P7
فروشگاهی یافت نشد
تغییرات قیمت
مشخصات IPD80R1K2P7
- RoHS true
- Type N Channel
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet Infineon Technologies IPD80R1K2P7
- Operating Temperature -55°C~+150°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd) 37W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs) 11nC@0~10V
- Drain Source Voltage (Vdss) 800V
- Input Capacitance (Ciss@Vds) 300pF@500V
- Continuous Drain Current (Id) 4.5A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 3V@800uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) -
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 1Ω@10V,1.7A
- Package TO-252
- Manufacturer Infineon Technologies
فروشنده های IPD80R1K2P7
فروشگاهی یافت نشد