R+O H3V3L10B

R+O H3V3L10B

11VC Clamp 8A@8/20us Ipp ESD DIODE DFN1006-2L

در 0 فروشگاه

قیمت هنوز مشخص نشده است

این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!

مشخصات فنی:
Manufacturer ---
Package ---
Datasheet R+O H3V3L10B
Description ---

sellers R+O H3V3L10B

فروشگاهی یافت نشد

پالت
مقالات مرتبط در سیسوگ
  • کلاک میکروکنترلر و بلوک I/O
    کلاک میکروکنترلر و بلوک I/O
  • تکنیک، تاکتیک و استراتژی؛ سه لایه تصمیم‌گیری که هر مهندس باید بشناسد STT+R Decision Model
    تکنیک، تاکتیک و استراتژی؛ سه لایه تصمیم‌گیری که هر مهندس باید بشناسد STT+R Decision Model
  • راه‌اندازی کارت‌ حافظه SD برای STM32 | قسمت 31 آموزش STM32 با توابع LL
    راه‌اندازی کارت‌ حافظه SD برای STM32 | قسمت 31 آموزش STM32 با توابع LL
  • راه‌اندازی ماژول 4G Quectel EC200U با SDK زبان C و پیاده‌سازی پروتکل‌های کاربردی IoT
    راه‌اندازی ماژول 4G Quectel EC200U با SDK زبان C و پیاده‌سازی پروتکل‌های کاربردی IoT
  • امبدد لینوکس – کار با crosstool-NG - زنجیره‌ای از ابزارهای لازم برای ساختن همه چیز (بخش نهم)
    امبدد لینوکس – کار با crosstool-NG - زنجیره‌ای از ابزارهای لازم برای ساختن همه چیز (بخش نهم)
  • برنامه‌نویسی و نصب Windows 10 IoT بر روی رزبری پای
    برنامه‌نویسی و نصب Windows 10 IoT بر روی رزبری پای
  • تایمر نگهبان مستقل برای STM32 | قسمت 28 آموزش STM32 با توابع LL
    تایمر نگهبان مستقل برای STM32 | قسمت 28 آموزش STM32 با توابع LL
  • ساخت کنترل رله پیامکی با ماژول M66 کوییکتل
    ساخت کنترل رله پیامکی با ماژول M66 کوییکتل
  • پیاده سازی هوش مصنوعی شطرنج - قسمت صفر – تاریخچه
    پیاده سازی هوش مصنوعی شطرنج - قسمت صفر – تاریخچه
  • ساخت تایمر بزرگ‌تر در STM32 | آموزش STM32 با توابع HAL قسمت 12
    ساخت تایمر بزرگ‌تر در STM32 | آموزش STM32 با توابع HAL قسمت 12
پالت

مشخصات

  • type ESD
  • Polarity Bidirectional
  • Clamping Voltage 11V
  • Operating temperature -55℃~+155℃
  • Reverse Leakage Current (Ir) 500nA
  • Reverse Stand-Off Voltage (Vrwm) 3.3V
  • Peak Pulse Power Dissipation (Ppp) 85W
  • Package DFN1006-2L

فروشنده ها

فروشگاهی یافت نشد

محصولات مشابه