HXY MOSFET SI2338DS-T1-BE3-HXY

HXY MOSFET SI2338DS-T1-BE3-HXY

HXY MOSFET SI2338DS-T1-BE3-HXY

در 0 فروشگاه

قیمت هنوز مشخص نشده است

این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!

مشخصات فنی:
Manufacturer ---
Package ---
Datasheet HXY MOSFET SI2338DS-T1-BE3-HXY
Description ---

sellers HXY MOSFET SI2338DS-T1-BE3-HXY

فروشگاهی یافت نشد

انجمن تخصصی برق و الکترونیک سیسوگ
مقالات مرتبط در سیسوگ
  • استفاده از SiC در مراکز داده‌ مبتنی بر هوش مصنوعی
    استفاده از SiC در مراکز داده‌ مبتنی بر هوش مصنوعی
  • مدار دیمر چیست؟ + نحوه راه اندازی مدار دیمر با IC555 و آردوینو
    مدار دیمر چیست؟ + نحوه راه اندازی مدار دیمر با IC555 و آردوینو
  • پروژه ریموت کنترل 4 کاناله کاملا رایگان به همراه مستندات
    پروژه ریموت کنترل 4 کاناله کاملا رایگان به همراه مستندات
  • آموزش میکروکنترلر STM32 : وقفه های رابط RTC و تبدیل تاریخ
    آموزش میکروکنترلر STM32 : وقفه های رابط RTC و تبدیل تاریخ
  • مدارات سوئیچینگ
    مدارات سوئیچینگ
  • راه‌اندازی سنسور DS18B20 با AVR
    راه‌اندازی سنسور DS18B20 با AVR
  • بررسی مدارهای الکترونیکی پیچیده
    بررسی مدارهای الکترونیکی پیچیده
  • ترانزیستور چیست؟ | نحوه کار و معرفی انواع آن به زبان ساده
    ترانزیستور چیست؟ | نحوه کار و معرفی انواع آن به زبان ساده
  • حالت‌ Input capture و حالت Output compare در تایمر | قسمت 13 آموزش STM32 با توابع HAL
    حالت‌ Input capture و حالت Output compare در تایمر | قسمت 13 آموزش STM32 با توابع HAL
  • بررسی شماتیک مدارهای الکترونیکی ساده
    بررسی شماتیک مدارهای الکترونیکی ساده
انجمن تخصصی برق و الکترونیک سیسوگ

مشخصات

  • Type N-Channel
  • Number 1 N-channel
  • RDS(on) 22mΩ
  • Gate Charge(Qg) 5nC
  • Ciss-Input Capacitance 420pF
  • Pd - Power Dissipation 1W
  • Drain to Source Voltage 30V
  • Operating Temperature - -55℃~+150℃
  • Output Capacitance(Coss) 60pF
  • Current - Continuous Drain(Id) 5.8A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) 1.5V
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) 53pF
  • Package SOT-23

فروشنده ها

فروشگاهی یافت نشد

محصولات مشابه