FDB047N10
در 2 فروشگاه قیمت هنوز مشخص نشده است
| Manufacturer | onsemi |
| Package | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Datasheet | FDB047N10 |
| Description | N-Channel 100V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D²PAK |
فروشنده های FDB047N10
| قیمت | |||
| FDB047N10 | ناموجود بدون قیمت قیمت محصولات این فروشگاه بروز نشده است! |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| FDB047N10 | ناموجود بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
تغییرات قیمت
مشخصات FDB047N10
- RoHS true
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet onsemi FDB047N10
- Operating Temperature -55°C~+175°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd) 375W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs) 210nC@10V
- Drain Source Voltage (Vdss) 100V
- Input Capacitance (Ciss@Vds) 15265pF@25V
- Continuous Drain Current (Id) 120A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 4.5V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 4.7mΩ@75A,10V
- Package TO-263
- Manufacturer onsemi
- Series PowerTrench®
- Packaging Cut Tape (CT)
- Part Status Active
- FET Type N-Channel
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.7mOhm @ 75A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 210nC @ 10V
- Vgs (Max) ±20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 15265pF @ 25V
- FET Feature -
- Power Dissipation (Max) 375W (Tc)
- Mounting Type Surface Mount
- Supplier Device Package D²PAK
- Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Base Part Number FDB047
- detail N-Channel 100V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D²PAK
فروشنده های FDB047N10
| قیمت | |||
| FDB047N10 | ناموجود بدون قیمت قیمت محصولات این فروشگاه بروز نشده است! |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| FDB047N10 | ناموجود بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|