FDD3860
در 2 فروشگاه
قیمت هنوز مشخص نشده است
| Manufacturer | onsemi |
| Package | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Datasheet | FDD3860 |
| Description | N-Channel 100V 6.2A (Ta) 3.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA) |
sellers FDD3860
| قیمت | ||||
|
|
FDD3860 | ناموجود بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه: |
|
|
|
FDD3860 | ناموجود بدون قیمت قیمت محصولات این فروشگاه بروز نشده است! |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه: |
تغییرات قیمت
مشخصات
- RoHS true
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet onsemi FDD3860
- Operating Temperature -55°C~+150°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd) 3.1W;69W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs) 31nC@10V
- Drain Source Voltage (Vdss) 100V
- Input Capacitance (Ciss@Vds) 1740pF@50V
- Continuous Drain Current (Id) 6.2A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 4.5V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) -
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 36mΩ@5.9A,10V
- Package TO-252
- Manufacturer onsemi
- Series PowerTrench®
- Packaging Cut Tape (CT)
- Part Status Active
- FET Type N-Channel
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.2A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 5.9A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 10V
- Vgs (Max) ±20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1740pF @ 50V
- FET Feature -
- Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 69W (Tc)
- Mounting Type Surface Mount
- Supplier Device Package D-PAK (TO-252AA)
- Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Base Part Number FDD386
- detail N-Channel 100V 6.2A (Ta) 3.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
فروشنده ها
| قیمت | ||||
|
|
FDD3860 | ناموجود بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه: |
|
|
|
FDD3860 | ناموجود بدون قیمت قیمت محصولات این فروشگاه بروز نشده است! |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه: |