NSS20101JT1G

NSS20101JT1G

در 0 فروشگاه

قیمت هنوز مشخص نشده است

این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!

مشخصات فنی:
Manufacturer onsemi
Package SC-89, SOT-490
Datasheet NSS20101J
Description Bipolar (BJT) Transistor NPN 20V 1A 350MHz 300mW Surface Mount SC-89-3

sellers NSS20101JT1G

فروشگاهی یافت نشد

تغییرات قیمت

مشخصات

  • RoHS true
  • Category Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet onsemi NSS20101JT1G
  • Transistor Type NPN
  • Operating Temperature -55°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic) 1A
  • Power Dissipation (Pd) 300mW
  • Transition Frequency (fT) 350MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 200@100mA,2V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo) 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 20V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 220mV@2A,200mA
  • Package SC-89-3
  • Manufacturer onsemi
  • Series -
  • Packaging Cut Tape (CT)
  • Part Status Active
  • Current - Collector (Ic) (Max) 1A
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 220mV @ 100mA, 1A
  • Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 100mA, 2V
  • Power - Max 300mW
  • Frequency - Transition 350MHz
  • Mounting Type Surface Mount
  • Package / Case SC-89, SOT-490
  • Supplier Device Package SC-89-3
  • Base Part Number NSS201
  • detail Bipolar (BJT) Transistor NPN 20V 1A 350MHz 300mW Surface Mount SC-89-3

فروشنده ها

فروشگاهی یافت نشد