FDA59N25
در 3 فروشگاه قیمت هنوز مشخص نشده است
| Manufacturer | onsemi |
| Package | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Datasheet | FDA59N25 |
| Description | N-Channel 250V 59A (Tc) 392W (Tc) Through Hole TO-3PN |
فروشنده های FDA59N25
| قیمت | |||
| FDA59N25 | بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| FDA59N25 | ناموجود بدون قیمت قیمت محصولات این فروشگاه بروز نشده است! |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| FDA59N25 | ناموجود بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
تغییرات قیمت
مشخصات FDA59N25
- RoHS true
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet onsemi FDA59N25
- Operating Temperature -55°C~+150°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd) 392W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs) 82nC@10V
- Drain Source Voltage (Vdss) 250V
- Input Capacitance (Ciss@Vds) 4020pF@25V
- Continuous Drain Current (Id) 59A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 5V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 49mΩ@29.5A,10V
- Package TO-3PN-3
- Manufacturer onsemi
- Series UniFET™
- Packaging Tube
- Part Status Active
- FET Type N-Channel
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 59A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 49mOhm @ 29.5A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 82nC @ 10V
- Vgs (Max) ±30V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4020pF @ 25V
- FET Feature -
- Power Dissipation (Max) 392W (Tc)
- Mounting Type Through Hole
- Supplier Device Package TO-3PN
- Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
- Base Part Number FDA59
- detail N-Channel 250V 59A (Tc) 392W (Tc) Through Hole TO-3PN
فروشنده های FDA59N25
| قیمت | |||
| FDA59N25 | بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| FDA59N25 | ناموجود بدون قیمت قیمت محصولات این فروشگاه بروز نشده است! |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| FDA59N25 | ناموجود بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
