18N20-252

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技术规格:
Manufacturer GOFORD
Package ---
Datasheet 18N20-252
Description ---

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规格

  • RoHS true
  • Type N Channel
  • Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet GOFORD 18N20-252
  • Power Dissipation (Pd) 65.8W
  • Drain Source Voltage (Vdss) 200V
  • Continuous Drain Current (Id) 18A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 3V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 160mΩ@10V,9A
  • Package TO-252
  • Manufacturer GOFORD

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