دیتاشیت SI2301CDS-T1-E3
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | SI2301CDS-T1-E3 |
|---|---|
| حجم فایل | 73.948 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 9 |
دانلود دیتاشیت SI2301CDS-T1-E3 |
SI2301CDS-T1-E3 Datasheet |
|---|
مشخصات
- RoHS: true
- Type: P Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Vishay Intertech SI2301CDS-T1-E3
- Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd): 860mW;1.6W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs): 10nC@4.5V
- Drain Source Voltage (Vdss): 20V
- Input Capacitance (Ciss@Vds): 405pF@10V
- Continuous Drain Current (Id): 3.1A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 112mΩ@4.5V,2.8A
- Package: SOT-23
- Manufacturer: Vishay Intertech
