دیتاشیت SI5515CDC-T1-GE3
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | SI5515CDC-T1-GE3 |
|---|---|
| حجم فایل | 95.776 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 16 |
دانلود دیتاشیت SI5515CDC-T1-GE3 |
SI5515CDC-T1-GE3 Datasheet |
|---|
مشخصات
- RoHS: true
- Type: 1PCSN-Channel&1PCSP-Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Vishay Intertech SI5515CDC-T1-GE3
- Power Dissipation (Pd): 3.1W
- Drain Source Voltage (Vdss): 20V
- Continuous Drain Current (Id): 4A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 800mV@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 36mΩ@4.5V,6A
- Package: ChipFET1206-8
- Manufacturer: Vishay Intertech
