دیتاشیت SIR662DP-T1-GE3

SIR662DP-T1-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SIR662DP-T1-GE3
حجم فایل 100.727 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

دانلود دیتاشیت SIR662DP-T1-GE3

SIR662DP-T1-GE3 Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SIR662DP-T1-GE3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 6.25W;104W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 96nC@10V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 4365pF@30V
  • Continuous Drain Current (Id): 60A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.7mΩ@20A,10V
  • Package: PowerPAK
  • Manufacturer: Vishay Intertech

دیتاشیت محصولات مشابه