دیتاشیت SI2309CDS-T1-GE3
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت |
SI2309CDS-T1-GE3
|
| حجم فایل |
77.101
کیلوبایت
|
| نوع فایل |
pdf
|
| تعداد صفحات |
6
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Type:
P Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Vishay Intertech SI2309CDS-T1-GE3
-
Operating Temperature:
-55°C~+150°C@(Tj)
-
Power Dissipation (Pd):
1W;1.7W
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
4.1nC@4.5V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
60V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
210pF@30V
-
Continuous Drain Current (Id):
1.6A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
3V@250uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
345mΩ@10V,1.25A
-
Package:
SOT-23-3
-
Manufacturer:
Vishay Intertech
