SI2309CDS-T1-GE3
در 0 فروشگاه قیمت هنوز مشخص نشده است
این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!
| Manufacturer | Vishay Intertech |
| Package | --- |
| Datasheet | SI2309CDS-T1-GE3 |
| Description | --- |
فروشنده های SI2309CDS-T1-GE3
فروشگاهی یافت نشد
مشخصات SI2309CDS-T1-GE3
- RoHS true
- Type P Channel
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet Vishay Intertech SI2309CDS-T1-GE3
- Operating Temperature -55°C~+150°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd) 1W;1.7W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs) 4.1nC@4.5V
- Drain Source Voltage (Vdss) 60V
- Input Capacitance (Ciss@Vds) 210pF@30V
- Continuous Drain Current (Id) 1.6A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 3V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 345mΩ@10V,1.25A
- Package SOT-23-3
- Manufacturer Vishay Intertech
فروشنده های SI2309CDS-T1-GE3
فروشگاهی یافت نشد
