onsemi MJD112G دیتاشیت

MJD112G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت MJD112G
حجم فایل 59.783 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

دانلود دیتاشیت MJD112G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Type: NPN
  • Package: DPAK
  • Category: Transistors/Thyristors/Darlington Transistors
  • Manufacturer: onsemi
  • DC Current Gain: 1000
  • Operating Temperature: -65°C~+150°C@(Tj)
  • Pd - Power Dissipation: 1.75W
  • Current - Collector(Ic): 2A
  • Transition frequency(fT): 25MHz
  • Vce Saturation(VCE(sat)): 3V
  • Current - Collector Cutoff: 20uA
  • Collector - Emitter Voltage VCEO: 100V