- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت MMBTH10LT1G
MMBTH10LT1G دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | MMBTH10LT1G |
|---|---|
| حجم فایل | 83.739 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 6 |
دانلود دیتاشیت MMBTH10LT1G |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
NSV,S,MMBTH10L(4L) 5 pages
مشخصات فنی
- RoHS: true
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
- Datasheet: onsemi MMBTH10LT1G
- Transistor Type: NPN
- Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
- Collector Current (Ic): -
- Power Dissipation (Pd): 225mW
- Transition Frequency (fT): 650MHz
- DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 60@4mA,10V
- Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
- Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 25V
- Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 500mV@4A,400mA
- Package: SOT-23(TO-236)
- Manufacturer: onsemi
- Series: *
- Packaging: Cut Tape (CT)
- Part Status: Obsolete
- Base Part Number: MMBTH10
- detail: RF Transistor