دیتاشیت MMBTH10LT1G

NSV,S,MMBTH10L(4L)

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NSV,S,MMBTH10L(4L)
حجم فایل 93.488 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

دانلود دیتاشیت NSV,S,MMBTH10L(4L)

NSV,S,MMBTH10L(4L) Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: onsemi MMBTH10LT1G
  • Transistor Type: NPN
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): -
  • Power Dissipation (Pd): 225mW
  • Transition Frequency (fT): 650MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 60@4mA,10V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 25V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 500mV@4A,400mA
  • Package: SOT-23(TO-236)
  • Manufacturer: onsemi
  • Series: *
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Part Status: Obsolete
  • Base Part Number: MMBTH10
  • detail: RF Transistor

دیتاشیت محصولات مشابه