MMBTH10LT1G
در 0 فروشگاه قیمت هنوز مشخص نشده است
این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!
| Manufacturer | onsemi |
| Package | --- |
| Datasheet | NSV,S,MMBTH10L(4L) |
| Description | RF Transistor |
فروشنده های MMBTH10LT1G
فروشگاهی یافت نشد
تغییرات قیمت
مشخصات MMBTH10LT1G
- RoHS true
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
- Datasheet onsemi MMBTH10LT1G
- Transistor Type NPN
- Operating Temperature -55°C~+150°C@(Tj)
- Collector Current (Ic) -
- Power Dissipation (Pd) 225mW
- Transition Frequency (fT) 650MHz
- DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 60@4mA,10V
- Collector Cut-Off Current (Icbo) 100nA
- Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 25V
- Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 500mV@4A,400mA
- Package SOT-23(TO-236)
- Manufacturer onsemi
- Series *
- Packaging Cut Tape (CT)
- Part Status Obsolete
- Base Part Number MMBTH10
- detail RF Transistor
فروشنده های MMBTH10LT1G
فروشگاهی یافت نشد
