MJD2x3,NJVMJD2x3T4G دیتاشیت

MJD2x3,NJVMJD2x3T4G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت MJD2x3,NJVMJD2x3T4G
حجم فایل 109.881 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت MJD2x3,NJVMJD2x3T4G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Transistors/Thyristors/Bipolar (BJT)
  • Datasheet: onsemi NJVMJD243T4G
  • Transistor Type: NPN
  • Operating Temperature: -65°C~+150°C
  • Collector Current (Ic): 4A
  • Power Dissipation (Pd): 12.5W
  • Transition Frequency (fT): 40MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 180@200mA,1.0V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 100V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 0.6V@1.0A,100mA
  • Package: DPAK-3

محصولات مشابه