onsemi NJVMJD243T4G

onsemi NJVMJD243T4G

100V 12.5W 180@200mA,1.0V 4A NPN DPAK-3 Bipolar (BJT) ROHS

در 0 فروشگاه

قیمت هنوز مشخص نشده است

این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!

مشخصات فنی:
Manufacturer ---
Package ---
Datasheet MJD2x3,NJVMJD2x3T4G
Description ---

sellers onsemi NJVMJD243T4G

فروشگاهی یافت نشد

انجمن تخصصی برق و الکترونیک سیسوگ
مقالات مرتبط در سیسوگ
  • استفاده از SiC در مراکز داده‌ مبتنی بر هوش مصنوعی
    استفاده از SiC در مراکز داده‌ مبتنی بر هوش مصنوعی
  • معرفی برد DongshanPI-PicoW
    معرفی برد DongshanPI-PicoW
انجمن تخصصی برق و الکترونیک سیسوگ

مشخصات

  • RoHS true
  • Category Transistors/Thyristors/Bipolar (BJT)
  • Datasheet onsemi NJVMJD243T4G
  • Transistor Type NPN
  • Operating Temperature -65°C~+150°C
  • Collector Current (Ic) 4A
  • Power Dissipation (Pd) 12.5W
  • Transition Frequency (fT) 40MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 180@200mA,1.0V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo) 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 100V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 0.6V@1.0A,100mA
  • Package DPAK-3

فروشنده ها

فروشگاهی یافت نشد

محصولات مشابه