- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت MJD50T4G
MJD50T4G دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | MJD50T4G |
|---|---|
| حجم فایل | 81.601 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 7 |
دانلود دیتاشیت MJD50T4G |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
MJDxx,NJVMJD4774G 6 pages
مشخصات فنی
- RoHS: true
- Category: Transistors/Thyristors/Bipolar (BJT)
- Datasheet: onsemi NJVMJD50T4G
- Transistor Type: NPN
- Operating Temperature: -65°C~+150°C
- Collector Current (Ic): 1A
- Power Dissipation (Pd): 15W
- Transition Frequency (fT): 10MHz
- DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 30@0.3A,10V
- Collector Cut-Off Current (Icbo): 0.2mA
- Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 400V
- Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 1V@1A,0.2A
- Package: DPAK
